长鑫存储称技术获突破 领先三星与SK海力士

中国存储晶片制造商长鑫存储称，已取得三星电子等竞争对手多年来力求实现的技术突破。这一说法尚未获证实，但已引发全球晶片股抛售。

据彭博社报道，长鑫存储总裁曹堪宇上周末在上海举行的一场行业会议上说，公司计划在今年底前推出一款面向数据中心服务器的新型晶片，采用4F2设计，以提升单个组件的性能。公司发言人确认了他的上述表述。

曹堪宇未披露更多技术细节。如果长鑫存储确实跨越4F2技术门槛，就意味着它在美国制裁限制其获取阿斯麦（ASML）最先进设备的情况下，仍抢先三星电子和SK海力士实现这一突破。

三星电子和SK海力士的股价星期二（10月13日）在韩国均下跌逾7%，拖累韩国综合股价指数。

业界现行的6F2标准用于衡量存储单元面积，其中F代表晶片的特征尺寸，6F2即特征尺寸平方的六倍。三星电子和SK海力士正探索将存储单元面积缩小至4F2的方法，理论上可在更小的面积内容纳相同数量的存储单元，提高存储密度和效率。

曹堪宇说，长鑫存储正通过堆叠改变晶体管的布局方式。这种“垂直环绕栅极”（Vertical Surrounding Gate）技术，预计能减少漏电和其他副作用。这些问题长期困扰着试图将存储单元面积缩小至6F2以下的主要竞争对手。

长鑫存储今年夏季在备受瞩目的首次公开募股（IPO）后，一度成为中国市值最高的公司。此次宣布技术突破，凸显公司正努力缩小与外国竞争对手在晶片制造领域的差距，而这一领域对人工智能（AI）发展至关重要。

如果新架构奏效，这将成为中国企业通过技术创新绕过美国限制的又一案例。