中国存储晶片企业长鑫科技上市不足两个月，拟进一步动用180亿元超募资金，加码技术研发和存储器晶圆后道测试，两个项目总投资达349亿元。
综合《中国基金报》和澎湃新闻报道，长鑫科技星期一（9月28日）晚公告，公司当天召开董事会会议，审议通过使用部分超募资金投资建设新项目的议案，但仍须提交股东会审议。
其中，公司拟使用130亿元超募资金投资新建技术研发项目。项目总投资241亿元，建设周期30个月，实施地点位于安徽合肥的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地，资金主要用于设备购置。
长鑫科技说，公司将通过持续推进产品和制程工艺迭代，提升存储密度、功耗控制和读写性能，并加快推出新产品。由于项目属于研发项目，公司没有单独测算投资回报，经济效益将主要通过技术升级带动主营业务增长体现。
公司也计划通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供50亿元超募资金，用于建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。
这个项目总投资108亿元，建设周期37个月，计划新建一座测试工厂，为动态随机存取存储器（DRAM）晶片提供测试和模组组装服务。
长鑫科技说，随着公司产能持续提升和产品种类增加，外部封测厂未来可能出现测试产能不足、配套投资跟不上的情况。通过自建后道测试和模组项目，公司可更灵活协调测试产能，降低DRAM晶片测试成本，并进一步完善从晶圆制造到后道测试的IDM（垂直整合制造）模式。
长鑫科技此次首次公开募股（IPO）募集资金总额为666.07亿元，扣除发行费用后的募集资金净额为663.10亿元，其中超募资金368.10亿元。截至目前，公司尚未使用超募资金。
此次拟投入的180亿元，约占超募资金总额的一半。项目完成后，公司仍将保留约188亿元超募资金。
但长鑫科技也提示，相关项目仍面临政策和审批变化、市场环境改变、建设进度不及预期和研发技术难题等风险。对于后道测试基地二期，如果新增产能无法按预期满产，人力、设备折旧和厂房运维成本也可能对公司阶段性业绩构成压力。
长鑫科技星期一收报53.80元，跌4.27%，总市值约3.65万亿元。
